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KMPR

 

產(chǎn)品特性

負(fù)性光刻膠，高深款比：>5:1，高分辨率，垂直性好。

可用TMAH，KOH或者PGMEA顯影，易去膠，耐干法刻蝕優(yōu)異的金屬黏附性和電鍍膜液穩(wěn)定性，金屬黏附性和電鍍膜液穩(wěn)定性較好。

厚度范圍：5-115μm

光源：Near UV (350-400nm) 推薦i-Line，

也可用于E-beam，X-ray

  
     
   
  Spin speed Vs. Thickness  
  for KMPR8 1000 resists (230℃ Japan & Asia)  
  旋涂曲線  
     
 
應(yīng)用：

DRIE刻蝕掩膜，MEMS與生物芯片的電鍍模具。
  
     
   
  Etched Trenches  
  10 μm features， 65 μm deep  
  (Photo Courtesy of ULVAC)  
 
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